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MEMS硅晶振產品
32.768KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA,封裝尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA,封裝尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA,封裝尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA,封裝尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗溫補振蕩器TCXO,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗溫補振蕩器TCXO,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP
單端振蕩器1-220MHz
低功耗(<3.8mA)
SiT1602
SiT1602
僅支持3.57-77.76 MHz之間常用頻率
僅支持3.57-77.76 MHz之間常用頻率
SiT8008
SiT8008
標準通用封裝,1-110MHz任意頻率
標準通用封裝,1-110MHz任意頻率
SiT8021
SiT8021
低功耗60uA,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP,支持頻率范圍1-26MHz
低功耗60uA,封裝尺寸1.5mm*0.8mm CSP,支持頻率范圍1-26MHz
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率
SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率
SiT8009
SiT8009
標準通用封裝,115-137MHz任意頻率
標準通用封裝,115-137MHz任意頻率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封裝,115-137MHz任意頻率
SOT23-5封裝,115-137MHz任意頻率
低抖動(<0.5ps)
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意頻率,可精確到小數點后六位
1-80MHz任意頻率,可精確到小數點后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意頻率,可精確到小數點后六位
80-220MHz任意頻率,可精確到小數點后六位
差分振蕩器
FPGA參考設計推薦
SiT9120
SiT9120
僅支持1-220MHz之間常規頻率 ,LVDS/LVPECL信號模式
僅支持1-220MHz之間常規頻率 ,LVDS/LVPECL信號模式
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式
1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式
220-625MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意頻率,HCSL/CML/LVPECL/LVDS信號模式
1-220MHz任意頻率,HCSL/CML/LVPECL/LVDS信號模式
低抖動0.3ps
SiT9365
SiT9365
僅支持25-325MHz之間常規頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
僅支持25-325MHz之間常規頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
1-220MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
220-725MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL/信號模式
fs級低抖動
SiT9501
SiT9501
70fs RMS 超低抖動,LVPECL/LVDS/HCSL信號模式
70fs RMS 超低抖動,LVPECL/LVDS/HCSL信號模式
SiT9375
SiT9375
200fs RMS 低抖動,LVPECL/LVDS/HCSL信號模式
200fs RMS 低抖動,LVPECL/LVDS/HCSL信號模式
汽車級振蕩器AEC-Q100
汽車級單端晶振
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100認證,標準通用封裝,1-110MHz任意頻率
AEC-Q100認證,標準通用封裝,1-110MHz任意頻率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100認證,標準通用封裝,115-137MHz任意頻率
AEC-Q100認證,標準通用封裝,115-137MHz任意頻率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100認證,SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率
AEC-Q100認證,SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100認證,SOT23-5封裝,115-137MHz任意頻率
AEC-Q100認證,SOT23-5封裝,115-137MHz任意頻率
汽車級差分晶振
SiT9386
SiT9386
AEC-Q100認證,1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信號
AEC-Q100認證,1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信號
SiT9387
SiT9387
AEC-Q100認證,220-725MHz任意頻率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信號
AEC-Q100認證,220-725MHz任意頻率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信號
寬溫振蕩器
溫度范圍(-55℃~+125℃)
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意頻率,50000G抗沖擊,堅不可摧,萬無一失
1-110MHz任意頻率,50000G抗沖擊,堅不可摧,萬無一失
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率,為關鍵任務系統提供心跳
SOT23-5封裝,1-110MHz任意頻率,為關鍵任務系統提供心跳
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意頻率,專為世界上最嚴苛的環境而設計
119-137MHz任意頻率,專為世界上最嚴苛的環境而設計
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封裝 ,119-137MHz任意頻率,較低的加速度靈敏度
SOT23-5封裝 ,119-137MHz任意頻率,較低的加速度靈敏度
溫度范圍(-40℃~+125℃)
SiT1618
SiT1618
標準通用封裝 ,僅支持7.3728-48MHz之間常規頻率
標準通用封裝 ,僅支持7.3728-48MHz之間常規頻率
SiT8918
SiT8918
標準通用封裝 ,1-110MHz任意頻率,抗沖擊抗振動
標準通用封裝 ,1-110MHz任意頻率,抗沖擊抗振動
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封裝 ,1-110MHz任意頻率,在惡劣環境中更好的動態性能
SOT23-5封裝 ,1-110MHz任意頻率,在惡劣環境中更好的動態性能
SiT8919
SiT8919
標準通用封裝 ,115-137MHz任意頻率,耐環境壓力變化
標準通用封裝 ,115-137MHz任意頻率,耐環境壓力變化
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封裝 ,115-137MHz任意頻率,焊點更牢固
SOT23-5封裝 ,115-137MHz任意頻率,焊點更牢固
壓控振蕩器VCXO
壓控單端晶振
SiT3807
SiT3807
僅支持1.544-49.152MHz之間常用頻率,最大牽引范圍±200ppm
僅支持1.544-49.152MHz之間常用頻率,最大牽引范圍±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意頻率,±50ppm~±1600ppm牽引范圍可選
1-80MHz任意頻率,±50ppm~±1600ppm牽引范圍可選
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意頻率,±50ppm~±1600ppm牽引范圍可選
80-220MHz任意頻率,±50ppm~±1600ppm牽引范圍可選
低抖動壓控差分晶振
SiT3372
SiT3372
0.21ps抖動值,1-220MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL信號模式
0.21ps抖動值,1-220MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL信號模式
SiT3373
SiT3373
0.23ps抖動值,220-725MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL信號模式
0.23ps抖動值,220-725MHz任意頻率,HCSL/LVDS/LVPECL信號模式
低成本壓控差分晶振
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式,最大牽引范圍±1600ppm
1-220MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號模式,最大牽引范圍±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號,最大牽引范圍±1600ppm
220-625MHz任意頻率,LVDS/LVPECL信號,最大牽引范圍±1600ppm
溫補振蕩器TCXO
±0.5ppm抗沖擊
SiT5155
SiT5155
僅支持10-40MHz之間常用頻率,抗沖擊抗震動
僅支持10-40MHz之間常用頻率,抗沖擊抗震動
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
1-60MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波多種功能可選
60-220MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波多種功能可選
±0.1ppm高穩三級鐘
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
1-60MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波多種功能可選
60-220MHz任意頻率,支持壓控、數控、方波多種功能可選
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意頻率,±0.01ppm高精度,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
1-60MHz任意頻率,±0.01ppm高精度,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能可選
恒溫振蕩器OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高穩三級鐘,方波、削峰正弦波可選,抗氣流和熱沖擊
Stratum 3E高穩三級鐘,方波、削峰正弦波可選,抗氣流和熱沖擊
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高穩三級鐘,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能
Stratum 3E高穩三級鐘,支持壓控、數控、方波、削峰正弦波多種功能
擴頻振蕩器SSXO
單端擴頻振蕩器
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意頻率,EMI降低高達30 dB,多種展頻范圍可選
1-141MHz任意頻率,EMI降低高達30 dB,多種展頻范圍可選
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意頻率,低功耗,多種展頻范圍可選
1-110MHz任意頻率,低功耗,多種展頻范圍可選
差分擴頻振蕩器
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意頻率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信號模式
1-220MHz任意頻率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信號模式
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解決方案
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MEMS硅晶振百科
06月
13
2022
SiT9375:200fs超低抖動差分晶振,25-644.53125MHz,LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9375支持從25 MHz到644.53125 MHz的31個標準頻率,通常用于網絡和其他通信應用。此設備具有200 fs RMS抖動(典型值),對電源噪聲和環境危害具有極好的免疫力,行業標準封裝尺寸低至2.0 x 1.6 mm,低功耗選項,以及高達105℃的寬溫度支持。
06月
10
2022
SiT1630:2012、SOT23-5,低功耗32.768KHz有源晶振
SiT1630是超小型、超低功耗并優化了手機和其他電池供電的32.768KHz有源晶振。 SiTime的MEMS技術使它擁有2.0mm x 1.2mm芯片級封裝以及SOT23-5封裝,可在1.5V -3.63V 電壓范圍穩定工作,支持鋰電、超級電容等供電設備供電。 SiT1630內置濾波電路,無需額外的Vdd旁路電容。 SiT1630輸出驅動能力強,無需額外負載電容,滿足-40℃ ~ 105℃野外寬溫要求。SiT1630在智能儀表,可穿戴產品乃至基礎性時鐘產品領域具備廣泛的應用前景。
09月
30
2021
SiT8918:1 - 110MHz抗沖擊抗振動寬溫振蕩器
SiT8918抗沖擊抗振動寬溫振蕩器可以在2.0x1.6封裝下提供了寬頻率范圍(1 MHz - 110 MHz),極好的穩定性(±20 PPM)和寬溫度范圍(-40~+125℃)的結合是從石英中不容易獲得的。SiT8918還具有業界最佳的振動靈敏度和抗沖擊和振動。
09月
29
2021
SiT1618:標準頻率,抗沖擊寬溫振蕩器
SiT1618抗沖擊寬溫振蕩器有33個標準頻率和兩個溫度范圍(分為工業級和汽車級)。SiT1618具有±20 PPM穩定性,超小的2.0mm x 1.6mm封裝(4個其他的封裝),3.6 mA低功耗,和一流的抗沖擊和振動特性。
09月
28
2021
SiT8920:1 - 110MHz抗沖擊寬溫振蕩器
SiT8920是一款專注超寬溫、惡劣環境下的堅固可靠的單端MEMS抗沖擊寬溫振蕩器。由于其獨特的硅MEMS和模擬電路設計,SiT8920在多個主要性能類別超越石英振蕩器。雖然是在-55°至+125°的寬廣溫度范圍內工作,SiT8920的功耗為石英振蕩器的一半,穩定性卻是后者的兩倍。SiT8920在總體器件可靠性和抗沖擊和振動性能方面,更分別提高了20倍和30倍。
09月
27
2021
SiT8924:AEC-Q100認證汽車級振蕩器,1 - 110MHz任意頻率
SiT8924是采用標準振蕩器封裝,符合AEC-Q100汽車標準的單端輸出MEMS汽車級晶振。SiT8924實現了很寬的頻率范圍(1MHz至110 MHz),較好的穩定性(±25 PPM)與寬的溫度范圍(-55至125°C)之間的結合,秉承MEMS振蕩器的超強抗震、抗沖擊和水平溫漂特性,契合汽車產業電子化的智能換代。
09月
26
2021
SiT9367:220 - 725MHz,超低抖動差分晶振
SiT9367 超低抖動差分振蕩器支持以 1 Hz 為增量從 220.000001 到 725 MHz 的任何頻率。該器件基于 SiTime 獨特的 Elite Platform?,在存在常見環境危害(例如沖擊、振動、電源噪聲、EMI 和電路板彎曲)的情況下,可提供 0.23 ps 抖動(典型值)和 ±10 ppm 的卓越動態性能。
09月
24
2021
SiT9122:高頻220 - 625MHz可編程差分振蕩器,FPGA時鐘伴侶
基于傳統石英、SAW和泛音諧振技術的傳統差分振蕩器在穩定度和可靠度上先天不足,SiT9122系列差分晶振采用SiTime模擬CMOS和全硅MEMS技術研發,結合了超高性能和可編程功能的產品,SiT9122頻率穩定度達10PPM、相位抖動低于0.6ps,SiTime實現了這兩項的結合。
09月
24
2021
SiT9102:1 - 220MHz任意頻率差分振蕩器,LVPECL/LVDS/HCSL/CML
SiT9102差分晶振是1-220MHz之間任意頻點,抖動<1ps,輸出支持LVDS/LVPECL/CML/HCSL的高性能差分振蕩器,頻率穩定度高達±10ppm。SiT9102得到了以XiLinx 為代表的主流FPGA 供應商的普遍認同,成為通信、安防、工業控制、醫療健康等諸多領域的差分晶振的不二選擇。
09月
23
2021
SiT8209:80 - 220MHz低抖動、高性能單端有源晶振
SiT8209是SiTime推出的高性能、低抖動振蕩器,支持頻率80-220MHz任意頻率,可精確到小數點后6位。SiT8209的抖動效能,在12KHz到20MHz范圍內累計RMS相位抖動指標達到0.6ps。
09月
22
2021
SiT8021:低功耗、芯片級封裝單端有源晶振
SiT8021超低功耗有源晶振是μPower MEMS振蕩器的第一個器件,通過設定功率、尺寸和重量的新基準,突破了石英技術的局限性。SiT8021供電電流僅有100 μA,比石英器件的功耗降低了90%,超小型1.5 mm×0.8 mm封裝,尺寸小了40%,重量減少了70%,高度為0.55 mm,薄了45%。
09月
18
2021
SiT2002:115-137MHz高頻、SOT23-5封裝單端有源晶振
SiT2002支持115-137MHz之間任意頻點,啟動時間只有5ms,SOT23-5封裝的單端低功耗有源晶振,頻率穩定度高達±20ppm。靈活可編程的特點結合MEMS工藝的超強抗震動、抗沖擊,和水平溫漂特性,讓SOT23-5封裝的SiT2002逐步成為工業控制、醫療監測、汽車、航天和更多惡劣工況產品設計的熱選時鐘產品,同時也成為智能硬件產品高穩、靈動的基礎。
09月
18
2021
SiT2001:SOT23-5封裝,1-110MHz單端低功耗有源晶振
SiT2001是SOT23-5封裝的MEMS硅晶振。SiT2001有源晶振帶有嵌入式MEMS諧振器的輸出時鐘發生器,支持1-110MHz任意頻率。 SiT2001全溫范圍的水平溫漂曲線特性,優化了傳統石英晶振精度隨時間變化劇烈的固有弊端。另外,SiT2001在功耗方面表現良好。該系列產品在工作時3.5毫安 (3.5mA),而在待機時2.5微安 (5 uA). SiT2001系列亦提供可設置的頻率上升/下降沿的調整,透過該功能,可協助工程人員在無須更改電路版設計狀況下降低EMI,讓產品利用便宜的成本更容易達到一些環境質量的設計。
09月
17
2021
SiT8009:115MHz-137MHz任意頻率低功耗單端有源晶振
SiT8009是美國SiTime公司推出的一款115-137MHz任意頻率低功耗型單端有源晶振,輸出電平兼容LVCMOS/LVTTL,是SiTime早期推出的SiT8102/SiT8004等產品的升級替代型號。SiT8009與傳統石英振蕩器相比,SiT8009系列產品不但比之薄30%, 并具優于10倍以上的穩定性和防振抗震性。
09月
17
2021
SiT1576:芯片級封裝、低功耗溫補振蕩器TCXO
伴隨著物聯網的快速發展,小體積、長效電池壽命、以及高精度時序等要求, 日益占據了重要的地位。SiT1576 低功耗溫補晶振提供了支持新物聯網應用所需的合適的尺寸、功耗和精度。SiT1576采用微型芯片級封裝(CSP),支持1 Hz和2.5 MHz任意頻率,SiT1576在多個溫度點經過工廠校準,可確?!? ppm高頻率穩定性。
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